電子回路上で、設計上は起きるはずのない電流漏れが発生してしまうこと。リーク電流が増大すると、消費電力が大きくなったり、欠陥が発生する可能性があるため、CPUやGPUなどのマイクロ・プロセッサやメモリなどでは大きな問題となる。米国トランスメタはチップの発熱とトランジスタのリーク電流を制御する低消費電力技術「LongRun2」を開発し、NECエレクトロニクス、富士通、ソニーにライセンス供与している。また、エルピーダメモリとNECは、DRAMのキャパシタに存在する10nm程度の結晶がデータ保持不良の原因であることを解明し、セルトランジスタ内の歪み分布を最適化して結晶欠陥が引き起こすリーク電流を低減させることによってデータ保持特性を向上させ、高歩留まりを実現している。